Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (4) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Zakhvalinskii V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Zakhvalinskii V. S. RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells [Електронний ресурс] / V. S. Zakhvalinskii, E. A. Piljuk, I. Yu. Goncharov, V. G. Rodriges, A. P. Kuzmenko, S. V. Taran, P. A. Abakumov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 3. - С. 03062-1-03062-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_3_64 RF-magnetron nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere was used for obtaining thin silicon carbide and silicon nitride films, that are used for constructing solar cells based on substrates of single crystal silicon of p-type. | ||
| 2. | 
Zakhvalinskii V. S. Diode Based on Amorphous SiC [Електронний ресурс] / V. S. Zakhvalinskii, L. V. Borisenko, A. J. Aleynikov, E. A. Piljuk, I. Goncharov, S. V. Taran // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04029-1-04029-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4(1)__31 Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere. | ||
| 3. |
Zakhvalinskii V. S. Temperature Influence on the Properties of Thin Si3N4 Films [Електронний ресурс] / V. S. Zakhvalinskii, P. A. Abakumov, A. P. Kuzmenko, E. A. Piljuk, V. G. Rodrigues, I. J. Goncharov, S. V. Taran // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04052-1-04052-2. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_54 Applying Raman spectroscopy, small-angle x-ray scattering, and atomic force microscopy it were studied phase composition and surface morphology of nanoscale films Si3N4 (obtained by RF magnetron sputtering). | ||
| 4. |
Zakhvalinskii V. S. Hopping Conductivity Mechanism in Cd3As2 Films Prepared by Magnetron Sputtering [Електронний ресурс] / V. S. Zakhvalinskii, E. A. Pilyuk, T. B. Nikulicheva, S. V. Ivanchikhin, M. N. Yaprintsev, I. Yu. Goncharov, D. A. Kolesnikov, A. A. Morocho, О. V. Glukhov // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 3. - С. 03029-1-03029-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_3_31 Плівки арсеніду кадмію на підкладках окисненого кремнію одержано ВЧ-магнетронним розпиленням. Досліджено структуру та морфологію поверхні за допомогою методів АСМ та раманівської спектроскопії. На спектрі КРС присутні характерні для плівок Cd | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |